返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5347 个

  • 60r180场效应管,20a600v,to220mos,​KLP60R180BD-KIA MOS管

    60r180场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A ，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 160mΩ，低栅极电荷Qg=33.5nC，减少开关损耗，提高效率；具备高耐用性、超快开关速度、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定；在电池管理系统、负载开关、无...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5881.html         2025-08-22

  • ​电瓶车控制器电路图,原理详解-KIA MOS管

    电动车控制器的原理是在电池电压保持相对稳定的前提下，通过断续供电的方式，调整电机供电电压的平均值，从而实现对电机速度和电流的精准控制。这种控制方式使得电机能够按照预期的要求进行运转。目前，主流的控制方法为PWM脉宽调制控制机理，即通过在特定时间...

    0 次查看 原理详解-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5880.html         2025-08-22

  • 元器件功耗计算公式,功率器件功耗计算-KIA MOS管

    开通时损耗：PON=IceoVcetofff开通过程损耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crss关断时损耗：Poff=IcVcestonf关断过程损耗：Pf=IcVDStff/6＝Ic2tftf'f/6CossMOSFET的总损耗为：Ptotal=Pd+Pon+Poff+Pr+Pf

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5879.html         2025-08-22

  • 60r280场效应管,600vmos管,to220f mos,KLF60R280B-KIA MOS管

    KLF60R280B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流15A，采用新型沟槽工艺制造，性能优越；低导通电阻RDS(开启) 240mΩ，减少导电损失，低栅极电荷（典型值Qg=19.6nC），减少开关损耗；具有高耐用性、快速开关、100%经雪崩测试、改进的dv/dt性能，高效稳定可靠；封...

    2 次查看 600vmos管 60r280场效应管 to220f mos KLF60R280B-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5878.html         2025-08-21

  • pwm调光原理,pwm调光原理图-KIA MOS管

    PWM波形为一个矩形波，包含高电平（ON）和低电平（OFF）两个状态。通过改变高电平时间占总周期的比例（即占空比），可以实现不同亮度的输出。占空比越大，LED在高电平状态下持续的时间越长，平均亮度也就越高；反之，占空比越小，LED在低电平状态下持续的时间越...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5872.html         2025-08-21

  • 半导体分立器件有哪些,分类介绍-KIA MOS管

    分立器件按功能划分为二极管、三极管、场效应管和晶闸管等类型。最新研究显示，其分类已拓展至材料维度，包含硅基、锗基及化合物半导体器件。在结构维度上，涵盖PN结二极管、双极型晶体管和MOSFET等多种形式，其中硅基MOSFET因兼具大功率与高频特性成为主流应用...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5871.html         2025-08-21

  • 60r280场效应管,600vmos管,​15a600v,KLD60R280B参数-KIA MOS管

    KLD60R280B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流15A，采用新型沟槽工艺制造，性能优越；低导通电阻RDS(开启) 240mΩ，减少导电损失，低栅极电荷（典型值Qg=19.6nC），减少开关损耗；具有高耐用性、快速开关、100%经雪崩测试、改进的dv/dt性能，高效稳定可靠；封...

    0 次查看 600vmos管 60r280场效应管

    www.kiaic.com/article/detail/5870.html         2025-08-20

  • 四种变换电路详解,变换电路原理图-KIA MOS管

    电力变换通常分为四大类，交流变直流（AC→DC)的整流电路；直流变交流（DC→AC）的逆变电路；直流变直流（DC→DC）的直流斩波电路；交流变交流（AC→AC）的交流交流电路。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5869.html         2025-08-20

  • 车载电源原理详解,车载电源原理图-KIA MOS管

    车载电源属于新能源汽车“电控总成” 中的关键电气零部件，主要包括逆变器、车载充电机（OBC）和DC-DC转换器等核心模块。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5868.html         2025-08-20

  • ​2920场效应管,高频开关mos,200v130a,KCP2920K参数-KIA MOS管

    KCP2920K场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流130A，采用专利新型沟槽工艺制造，SGT MOSFET技术，提升功率密度，性能优越；?极低导通电阻RDS(开启) 9.8mΩ，减少导电损失，?低栅极电荷减少开关损耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5867.html         2025-08-19

  • 新能源电机控制器结构,工作原理详解-KIA MOS管

    新能源汽车电机控制器是电动汽车的核心部件，负责控制电机的转速和扭矩输出。其结构主要包括电源模块（直流转交流）、控制器（控制工作状态）、功率部分（MOS管和液压模块，稳定性高）、驱动模块（驱动电机运转）和通讯部分（与汽车系统交互）。

    0 次查看 工作原理详解-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5866.html         2025-08-19

  • 无抽头zvs电路图,zvs电路原理详解-KIA MOS管

    推挽电路采用两个MOSFET交替工作，每个MOSFET关断时，负载电流会流入对方MOSFET的体二极管，并逐渐衰减，使得MOSFET在导通前漏极电压自然降到零。这与半桥LLC谐振变换器的工作方式类似，通过谐振元件的储能与释放，实现ZVS。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5865.html         2025-08-19

  • 6610mos管,​pwm调光,15a100v场效应管,KNY6610A参数-KIA MOS管

    KNY6610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流15A，采用先进的平面沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 83mΩ，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲，性能优越；具有低交叉失真、快速切换、100%雪崩测试、改进的...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5864.html         2025-08-18

  • 车载充电机电路分析,电路图原理-KIA MOS管

    OBC电路主要由功率电路和控制电路组成，其中功率电路分为两个级别，一个是功率因素校正（Power Factor Correction，PFC）级，能实现电网交流电压变为直流电压，并保证输入交流电流与输入交流电压同相位，

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/5863.html         2025-08-18

123456
Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号